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Intel官方宣布，已經(jīng)獲得美國能源部(DOE) 170萬美元(約合人民幣1220萬元)的資助，用于開發(fā)下一代數(shù)據(jù)中心散熱技術，可應對2000W以上的功耗。

數(shù)據(jù)顯示，數(shù)據(jù)中心耗電量占全美的大約2％，其中冷卻散熱部分占數(shù)據(jù)中心耗電量的最多40％，而隨著數(shù)據(jù)中心性能的不斷提升，高功耗、高發(fā)熱帶來的挑戰(zhàn)日益嚴峻，目前的散熱技術只能應對1000W左右，無法滿足未來需要。

利用國防部的資助，在未來三年合同期內，Intel將與科研機構、行業(yè)領袖合作，開發(fā)創(chuàng)新的浸沒式散熱技術，包括應用3D真空腔均熱技術，并提供散熱測試平臺、形態(tài)規(guī)格定義。

同時，Intel也會針對性地開發(fā)下一代處理器，優(yōu)化散熱和能效。

Intel的目標是，將兩相浸沒式散熱系統(tǒng)的效率提升至少2.5倍，從目前的0.025℃/W做到0.01℃/W。

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